嵌有非六元环的石墨烯纳米带的可控合成及电子性质调控

报告人：钟定永教授、(中山大学威廉希尔)时间：2018年5月25日下午 15:30地点：知新楼C座1111室邀请人：赵明磊教授报告摘要：引入非六元环是调控石墨烯电子结构的重要方式。然而，与六元环相比，非六元环结构通常并不稳定，这使得非六元环的可控嵌入不易实现。我们通过表面在位合成技术，成功实现了周期性嵌入四元和八元环的石墨烯纳米带的精确制备。扫描隧道显微镜和原子力显微镜研究表明，四元和八元环形和周边的六元环具...

22 2018-05

中微子历史与前沿研究

报告人：曹俊研究员时间：2018年05月24日（周四）10:10地点：理综楼 209邀请人：吴群教授摘要：报告在回顾中微子历史后，将介绍中微子物理前沿研究。简介：1993年毕业于武汉大学物理系。1998年在中科院高能物理所获博士学位。1998至 2000年为法国奥塞直线加速器实验室博士后，参与DESY的H1实验。2001至2004年为美国密歇根大学博士后，参与费米实验室的中微子实验 MiniBooNE。2004年入选中国科学院“...

21 2018-05

孙昌璞院士来访学术交流系列报告会

1. 报告题目：量子技术的量子基础报告人：孙昌璞院士中国工程物理研究院研究生院报告时间：2018年5月22日16:00—18:00报告地点：邵逸夫科技馆报告厅 2. 报告题目：和乐量子计算的研究进展报告人：仝殿民教授 WilliamHill官网报告时间： 2018年5月23日10:00—10:30 报告地点：知新楼C区C911 3. 报告题目：强场原子分子物理简介报告人：王旭教授中国工程物理研究院研究生院报告时间： 2018年5月23日10:30—11:00 报告地...

21 2018-05

通用两比特量子处理器

报告人：周晓祺教授中山大学威廉希尔时间：2018年5月23日下午 14:00地点：知新楼C座1011室邀请人：逯鹤教授报告摘要：近年来，在光学量子信息领域，一个重要的研究方向就是将集成光学技术引入量子信息实验研究。在这个工作中，我们首次在实验上制备出可以实现任意两比特幺正变换的硅基光子芯片。该芯片可以作为通用的实验平台，开展一些相关的量子计算与量子模拟实验。个人简介：周晓祺，中山大学威廉希尔教授，国家重...

17 2018-05

多铁性自旋电子材料与器件

报告人：刘明教授西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室&国际电介质研究中心时间：2018年5月18日上午 10:00地点：知新楼C座1111室邀请人：颜世申教授报告摘要：复合多铁材料体系中，如何利用电场调控磁性是多铁研究领域的一个热点。而源于电子在外磁场下的自旋进动的铁磁共振效应可用于精确测量磁化强度、磁各向异性以及表面磁各向异性的微小变化。铁磁共振效应也可用于自旋动力学的测量，如体自旋波、表...

14 2018-05

威廉希尔中文网站“大家讲坛”学术报告会-量子技术的量子基础

威廉希尔中文网站“大家讲坛”学术报告会报告题目：《量子技术的量子基础》报告时间：2018年5月22日16:00—18:00报告地点：邵逸夫科技馆报告厅报告人：孙昌璞院士中国工程物理研究院研究生院/北京计算科学研究中心报告摘要：量子力学是当代科学的两大支柱学科之一，它催生了半导体、激光和核能等重大技术性创新，深刻地影响了人类的社会生活和经济发展。二十一世纪开始，由于量子信息研究的兴起，包括量子计算...

18 2018-04

如何提高在国际知名审稿期刊上发表论文的机会

报告题目: 如何提高在国际知名审稿期刊上发表论文的机会报告人: 吕铭方博士、教授英论阁|Enago 中国区总裁时间：2018年4月24日（星期二）15：30 – 17：00地点：WilliamHill官网量子报告厅知新楼C702 摘要: 所有重要的研究成果，首先需要在国际知名审稿学术期刊上获得发表，才能够得到交流、共享并获得研究同行的认可。本讲座主要针对希望在国际顶级学术期刊上发表论文以及了解学术出版最新进展的研究人员和...

17 2018-04

第一性原理高通量计算平台及其在热电材料中的应用

报告人：杨炯教授，上海大学邀请人：王洪超博士报告时间：2018-04-23 下午 1:00-3:00报告地点：知新楼C1111报告厅报告内容摘要: 高通量材料设计是材料科学领域的一个新兴的研究方向。合理利用高通量的手段，可以大幅度加快新材料的研发速度。目前国际上已有数个第一性原理高通量平台，在许多材料领域发挥了重要作用。在热电材料领域，目前的高通量研究并没有带来高热电性能的材料。这主要是由于电热输运性质涉及到复...

16 2018-04

量子纠缠网络的研究进展

报告题目：量子纠缠网络的研究进展报告人：李传锋教授，中国科学技术大学威廉希尔报告时间： 2018年4月16日16:30 报告地点：知行楼C1011/1013会议室邀请人：仝殿民教授报告人简介：李传锋教授中国科学技术大学教授国家杰出青年科学基金获得者长江学者特聘教授

26 2018-03

低维材料的拓扑性与谷电子学研究

报告人：杨金波教授北京大学威廉希尔邀请人：颜世申教授报告时间： 2018年3月30日上午10:10 报告地点：知新楼C座1111报告厅报告内容：众所周知当今社会的繁荣坐落在半导体技术之上，尤其是硅技术。英特尔工程师摩尔提出价格不变的情况下，单位面积集成电路上可以集成的器件每隔一年半就会翻一番，性能也会提高，这就是著名的摩尔定律。然而由于单个器件体积的缩小，器件已经慢慢逼近...

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